STP11NM60FP

厂商：
STMICROELECTRONICS(意法半导体)
封装：
SOT78
描述：
N沟道,600V,11A,450mΩ@10V

数据手册：

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STP11NM60FP 数据手册

STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1 N-channel 650V @ TJmax - 0.4Ω - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET General features Type STP11NM60 STP11NM60FP STB11NM60 STB11NM60-1 ■ ■ ■ ■ VDSS (@TJ=TJmax) 650V 650V 650V 650V RDS(on)

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型号：STP11NM60FP
品牌：STMicroelectronics
封装：SOT78
描述：封装: TO220FP 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 11A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 450mΩ @ 5.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 30 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1000 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 35W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™

国内价格
50+13.67300

库存：70

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