物料型号：
- STB55NF06
- STB55NF06-1
- STP55NF06
- STP55NF06FP
器件简介：
这些是N-CHANNEL 60V的功率MOSFET，采用TO-220/TO-220FP/I²PAK/D²PAK封装。它们基于意法半导体的"Single Feature Size™"工艺制造，具有高封装密度、低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的对齐步骤，因此制造可重复性显著。
引脚分配：
- TO-220封装：3个引脚，分别为G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。
- TO-220FP封装：与TO-220相同，但适用于表面贴装。
- I²PAK封装：3个引脚，分别为G、D和S。
- D²PAK封装：与I²PAK相同，但封装不同。
参数特性：
- 漏源电压（VDSS）：60V
- 导通电阻（RDS(on)）：小于0.018Ω
- 连续漏极电流（ID）：50A
- 峰值二极管恢复电压斜率（dv/dt）：未提供具体数值
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：350mJ
功能详解：
这些MOSFET适用于高电流、高开关速度的应用，如电机控制、音频放大器、DC-DC和DC-AC转换器以及汽车应用。它们通过了100%雪崩测试，具有出色的dv/dt能力。
应用信息：
- 高电流应用
- 高开关速度需求
- 电机控制
- 音频放大器
- 电源转换
- 汽车电子
封装信息：
- TO-220：直插式封装，适合通孔安装。
- TO-220FP：表面贴装版本。
- I²PAK（TO-262）：功率封装，适合通孔安装。
- D²PAK（TO-263）：功率封装，适合表面贴装。
- 封装的热阻和最大引脚温度等热特性数据也已提供。
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