物料型号:
- 型号:TN2106
- 封装:TO-236AB、TO-92、SOT-23等
器件简介:
- TN2106是一款N沟道增强型垂直DMOS FET,采用Supertex公司的硅门制造工艺,具有双极晶体管的功率处理能力和MOSFET的高输入阻抗及正温度系数。
引脚分配:
- 在SOT-23封装中,标记为GSD(Gate, Source, Drain)。
参数特性:
- 漏源击穿电压(BVpss):60V
- 最大导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω
- 门极阈值电压(VGS(th)):2.0V
- 封装选项:TO-236AB、TO-92、Die等
功能详解:
- 无二次击穿
- 低功耗驱动要求
- 易于并联
- 优秀的热稳定性
- 内置源-漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
- 互补的N沟道和P沟道设备
应用信息:
- 逻辑电平接口:适用于TTL和CMOS
- 固态继电器
- 电池操作系统
- 光伏驱动
- 模拟开关
- 通用线路驱动器
- 电信开关
封装信息:
- 封装类型包括TO-236AB、TO-92和SOT-23,具体尺寸可参考封装轮廓部分。
- 所有单位都在3000件载体胶带卷上发货。