### 物料型号
- VN2106N3:60V N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET,封装为TO-92。
- VN2110K1 和 VN2110ND:100V N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET,封装为TO-236AB。
### 器件简介
VN2106/VN2110是N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs,采用Supertex公司的硅门制造工艺,具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件的高输入阻抗及正温度系数。
### 引脚分配
- SOT-23:产品标记为N1A❋,其中❋代表2周的字母日期码。
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 漏源电压(BVpss/BV DGS):VN2110为100V,VN2106为60V。
- 漏栅电压(BVDGS):未明确给出。
- 栅源电压:±20V。
- 工作和存储温度:-55°C至+150°C。
- 焊接温度:300°C(距离外壳1.6mm,持续10秒)。
### 功能详解
这些增强型(常闭)晶体管利用垂直DMOS结构和Supertex的硅门制造工艺,具有高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度,适用于需要这些特性的开关和放大应用。
### 应用信息
- 电机控制、放大器、电源电路、转换器、开关、驱动器(继电器、锤击、螺线管、灯具、存储器、显示器、双极晶体管等)。
### 封装信息
- TO-92 和 TO-236AB:提供不同的封装选项,具体尺寸见封装轮廓部分。