1. 物料型号:
- 型号:SPC4703
- 封装:DFN3X2-8L
- 订货型号:SPC4703DF8RGB
2. 器件简介:
- SPC4703是一款集成了Trench MOSFET技术和超低正向电压降肖特基二极管的P沟道增强型功率场效应晶体管,采用DFN3X2-8L封装。该器件特别适合于最小化导通电阻和提供优越的开关性能。
3. 引脚分配:
- 引脚1和2:Schottky阳极(A)
- 引脚3:MOSFET源极(S)
- 引脚4:MOSFET栅极(G)
- 引脚5和6:MOSFET漏极(D)
- 引脚7和8:Schottky阴极(K)
4. 参数特性:
- 漏源电压:-20V
- 栅源电压:±12V
- 连续漏电流(TA=25°C):-3.5A
- 脉冲漏电流:-15A
- 肖特基反向电压:20V
- 连续正向电流:1A
- 脉冲正向电流:10A
- 导通电阻(RDS(ON)):在不同VGS下分别为90 mΩ、120 mΩ和155 mΩ
5. 功能详解:
- SPC4703的高密度单元设计提供了极低的RDS(ON),具有出色的导通电阻和最大直流电流能力。
- 肖特基二极管用于实现双向阻断开关或DC-DC转换应用。
6. 应用信息:
- 电池供电系统、DC/DC降压转换器、负载开关、手机等。
7. 封装信息:
- 封装类型为DFN3X2-8L,具有较小的占用空间和良好的散热性能。