BZX384C2V7

BZX384C2V7

  • 厂商:

    SYNSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    BZX384C2V7 - ZENER DIODES - SynSemi, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BZX384C2V7 数据手册
BZX384C Series FEATURES : * Silicon Planar Power Zener Diodes * The Zener voltages are graded according to the internation E 24 standard. * Standard Zener voltage tolerance is ± 5 %. Replace "C" with "B" for ± 2 % tolerance. * Pb / RoHS Free ZENER DIODES SOD-323 1.80 1.60 1.35 1.15 MECHANICAL DATA * Case : SOD-323 Plastic Package * Weight : 0.004 gram 2.80 2.30 Dimensions in millimeters Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Ta Parameter Zener Current Power Dissipation at T amp = 25 °C Thermal Resistance Junction to Ambient Air Junction Temperature Storage Temperature Range Notes: (1) Device on fiberglass substrate (2) Valid provided that electrodes are ambient temperature 25 °C unless otherwise noted) Symbol IZM Ptot RөJA TJ TS Value 250 200 650 (1) 0.15 (max) 1.10 0.80 0.40 0.25 Unit mA Mw °C/W °C °C (2) 150 -65 to + 150 Page 1 of 2 Rev. 02 : March 24, 2006 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Zener Voltage Dynamic rang Type Marking (1) Temp.Coefficient of Test Current IZT1 (mA) 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 Dynamic Resistance at IZT2 rzj (Ω) 275 300 (≤600 ) 325 (≤600 ) 350 (≤600 ) 375 (≤600 ) 400 (≤600 ) 410 (≤600 ) 425 (≤500 ) 400 (≤480 ) 80 (≤400 ) 40 (≤150 ) 30 (≤80 ) 30 (≤80 ) 40 (≤80 ) 40 (≤100 ) 50 (≤150 ) 50 (≤150 ) 50 (≤150 ) 50 (≤170 ) 50 (≤200 ) 50 (≤200 ) 50 (≤225 ) 60 (≤225 ) 60 (≤250 ) 60 (≤250 ) 65 (≤300 ) 70 (≤300 ) 75 (≤325 ) 80 (≤350 ) 80 (≤350 ) 85 (≤375 ) 85 (≤375 ) 85 (≤400 ) 100 (≤425 ) 100 (≤450) 150 (≤475 ) 170 (≤500 ) Reverse Leakage Test Current IZT2 (mA) IR (μA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 50.0 20.0 10.0 5.00 5.00 3.00 3.00 3.00 2.00 1.00 3.00 2.00 1.00 0.70 0.50 0.20 0.10 0.10 0.10 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 at I ZT1 Resistance Zener voltage at IZT1 at IZT1 rzj (Ω) 70 (≤100 ) 75 (≤100) 80 (≤95) 85 (≤95) 85 (≤90) 85 (≤90) 80 (≤90) 50 (≤80) 40 (≤60) 15 (≤40) 6.0 (≤10) 6.0 (≤15) 6.0 (≤15) 6.0 (≤15) 6.0 (≤15) 8.0 (≤20) 10 (≤20) 10 (≤25) 10 (≤30) 10 (≤30) 10 (≤40) 10 (≤45) 15 (≤55) 20 (≤55) 25 (≤70) 25 (≤80) 30 (≤80) 35 (≤80) 35 (≤90) 40 (≤130) 45 (≤150) 50 (≤170) 60 (≤180) 70 (≤200) 80 (≤215) 90 (≤240) 95 (≤255) Current at VR (V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 2.0 2.0 4.0 4.0 5.0 5.0 6.0 7.0 8.0 8.0 8.0 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. 0.7 Vznom. VZ (V) min max 2.60 2.90 3.20 3.50 3.80 4.10 4.60 5.00 5.40 6.00 6.60 7.20 7.90 8.70 9.60 10.6 11.6 12.7 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32.0 35.0 38.0 41.0 46.0 50.0 54.0 60.0 66.0 72.0 79.0 αVZ (10 /K) min -9.0 -9.0 -9.0 -8.0 -8.0 -7.0 -6.0 -5.0 -3.0 -2.0 -1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 5.0 5.0 6.0 7.0 7.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 10.0 10.0 10.0 10.0 9.0 9.0 10.0 10.0 -4 max -4.0 -4.0 -3.0 -3.0 -3.0 -3.0 -1.0 2.0 4.0 6.0 7.0 7.0 7.0 7.0 8.0 8.0 9.0 9.0 9.0 9.0 9.5 9.5 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 12.0 12.0 12.0 12.0 11.0 12.0 12.0 12.0 BZX384C2V4 BZX384C2V7 BZX384C3V0 BZX384C3V3 BZX384C3V6 BZX384C3V9 BZX384C4V3 BZX384C4V7 BZX384C5V1 BZX384C5V6 BZX384C6V2 BZX384C6V8 BZX384C7V5 BZX384C8V2 BZX384C9V1 BZX384C10 BZX384C11 BZX384C12 BZX384C13 BZX384C15 BZX384C16 BZX384C18 BZX384C20 BZX384C22 BZX384C24 BZX384C27 BZX384C30 BZX384C33 BZX384C36 BZX384C39 BZX384C43 BZX384C47 BZX384C51 BZX384C56 BZX384C62 BZX384C68 BZX384C75 Notes : W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WW WX WY WZ X1 X2 X3 X4 X5 2.20 2.50 2.80 3.10 3.40 3.70 4.00 4.40 4.80 5.20 5.80 6.40 7.00 7.70 8.50 9.40 10.4 11.4 12.4 13.8 15.3 16.8 18.8 20.8 22.8 25.1 28.0 31.0 34.0 37.0 40.0 44.0 48.0 52.0 58.0 64.0 70.0 (1) Measured with pulses p = 5 ms Page 2 of 2 Rev. 02 : March 24, 2006
BZX384C2V7
### 物料型号 - 型号:BZX384C系列,例如BZX384C2V4、BZX384C2V7等。

### 器件简介 - 齐纳二极管,采用硅平面功率齐纳二极管技术。 - 齐纳电压按照国际E24标准分级。 - 标准齐纳电压公差为±5%,替换"C"为"B"表示±2%公差。 - Pb/RoHS Free(无铅/符合RoHS标准)。

### 引脚分配 - 封装:SOD-323塑料封装。

### 参数特性 - 最大额定值和热特性(Ta 25°C,除非另有说明) - 齐纳电流(IzM):250mA - 功率耗散在Tamp=25°C时(Ptot):200mW - 芯片热阻结到环境空气(ReJA):650°C/W - 结温(TJ):150°C - 存储温度范围(Ts):-65至+150°C

### 功能详解 - 该系列齐纳二极管具有不同的额定电压范围,从2.4V至47V不等,并提供了详细的电气特性参数,包括动态电阻、温度系数、测试电流等。

### 应用信息 - 适用于需要电压稳定和过压保护的电路。

### 封装信息 - 封装类型:SOD-323塑料封装。 - 重量:0.004克。
BZX384C2V7 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BZX384C2V7”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货