TC1N4448M

TC1N4448M

  • 厂商:

    TAK_CHEONG(德昌)

  • 封装:

  • 描述:

    TC1N4448M - 300 mW DO-34 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Diodes - Tak Cheong Electronics (H...

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TC1N4448M 数据手册
® TAK CHEONG S E M ICOND UC TOR 300 mW DO-34 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Diodes AXIAL LEAD DO34 Absolute Maximum Ratings S ymbol PD T STG TJ WIV IO IFM IFSURGE Power Dissipation TA = 25°C unless otherwise noted Value 300 -65 to + 150 + 150 75 150 450 2 Units mW °C °C V mA mA A DEVICE MARKING DIAGRAM (TC1N4148M) Parameter Storage Temperature Range Operating Junction Temperature W orking Inverse Voltage Average Rectified Current Non-repetitive Peak Forward Current Peak Forward Surge Current (Pulse Width = 1.0 µsecond) L : Logo DEVICE MARKING DIAGRAM (TC1N4448M / TC1N914BM) These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired. Specification Features: L : Logo Device Code : TC1N xxxxM          Fast Switching Device ( TRR
TC1N4448M
物料型号: - TAK CHEONG® 300 mW DO-34 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Diodes

器件简介: - 该器件为快速开关二极管,采用DO-34封装(JEDEC DO-204),为全玻璃密封压缩键合结构,所有外表面耐腐蚀,引脚可焊性好。

引脚分配: - 二极管的阴极通过极性带标识。

参数特性: - 最大耗散功率:300 mW - 存储温度范围:-65°C 至 +150°C - 最高工作结温:+150°C - 工作反向电压:75V - 平均整流电流:150 mA - 非重复峰值正向电流:450 mA - 峰值正向浪涌电流:2A(脉冲宽度 = 1.0微秒)

功能详解: - 快速开关设备,反向恢复时间小于4.0纳秒。 - 符合RoHS标准,采用热浸锡(Sn)端面处理。 - 100%的电性参数测试。

应用信息: - 该产品适用于普通的电子设备,不适用于高可靠性要求的设备,如医疗仪器、交通设备、航空机械、核反应堆控制器、燃料控制器等。

封装信息: - 封装类型:DO-34 - 尺寸参数遵循JEDEC标准,具体尺寸如下: - A(最小0.46mm,最大0.55mm) - B(最小2.16mm,最大3.04mm) - C(最小25.40mm,最大38.10mm) - D(最小1.27mm,最大1.90mm)
TC1N4448M 价格&库存

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