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1N4150

1N4150

  • 厂商:

    TEL

  • 封装:

  • 描述:

    1N4150 - HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE - TRANSYS Electronics Limited

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1N4150 数据手册
Transys Electronics LIMITED HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE 1N4150 DO-35 Glass Axial Package FEATURES General Purpose used in Computer and Industrial Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VR Reverse Voltage (Continuous) IF Forward Current (DC) IFRM Repetitive Peak Forward Current tp=1µ s Non Repetitive Peak Surge Current IFSM tp=1s Power Dissipation @ Ta=25oC Derating Factor Operating And Storage Junction Temperature Range PTA Tj, Tstg o VALUE 50 300 600 4000 500 500 2.85 -65 to +200 UNIT V mA mA mA mW mW/ºC ºC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION Forward Voltage SYMBOL VF TEST CONDITIONS IF=1mA IF=10mA IF=50mA IF=100mA IF=200mA VR=50V VR=50V, Tj=150oC VR=0, f=1MHz IF=10mA to 200mA to IR=10mA to 200mA RL=100Ω Measured @ IR=0.1xIF IF=200mA to 400mA to IR=200mA to 400mA RL=100Ω Measured @ IR=0.1xIF IF=10mA to IR=1mA RL=100Ω Measured @ IR=0.1mA Switched from I=0 to IF=200mA tr=0.4ns, tp=100ns, Duty Cycle
1N4150
物料型号: - 型号为1N4150。

器件简介: - 1N4150是一种高速硅开关二极管,广泛应用于计算机和工业应用中。

引脚分配: - 1N4150采用DO-35玻璃轴向封装,阴极通过带子标记。

参数特性: - 反向电压(连续):VR,单位为伏特(V)。 - 正向电流(DC):IF,单位为毫安(mA)。 - 重复峰值正向电流:IFRM,单位为毫安(mA)。 - 非重复峰值浪涌电流:IFSM,单位为毫安(mA),持续时间为1微秒。 - 功率耗散@Ta=25°C:500毫瓦(mW)。 - 耗散因子:2.85毫瓦/摄氏度(mW/ºC)。 - 工作和存储结温范围:-65至+200摄氏度(ºC)。

功能详解: - 正向电压(VF)在不同正向电流(IF)下的最小值和最大值。 - 二极管电容(Cd)在不同反向电流(IR)下的最小值和最大值。 - 反向恢复时间(trr):4纳秒(ns)。 - 正向恢复时间(tfr):10纳秒(ns),在VF=1V、占空比<1.0%条件下测量。

应用信息: - 1N4150适用于高速开关和脉冲电路,特别是在计算机和工业领域。

封装信息: - 封装类型为DO-35玻璃轴向封装。 - 封装尺寸包括A、B、C、D四个参数,具体数值分别为: - A:最小25.40毫米。 - B:3.05至4.15毫米。 - C:0.46至0.56毫米。 - D:1.70至2.29毫米。 - 52毫米胶带规格,T&A表示轴向胶带和弹药包装(52毫米胶带间距)。 - 包装细节包括标准包装、内箱和外箱的重量/数量、尺寸和数量。
1N4150 价格&库存

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