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1N6096

1N6096

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    1N6096 - SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 25 A - TRANSYS Electronics Limited

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1N6096 数据手册
Transys Electronics LIMITED 1N5829(R) THRU 1N6096(R) SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 25 A 25Amp Rectifier 20-40 Volts Features High Surge Capability Types up to 40V VRRM DO-4 Maximum Ratings Operating Temperature: -55 C to +150 Storage Temperature: -55 C to +175 N M C B J Part Number 1N5829( R ) 1N5830( R ) 1N6095( R ) 1N5831( R ) 1N6096( R ) Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage 20V 25V 30V 35V 40V Maximum RMS Voltage 14V 17V 21V 25V 28V Maximum DC Blocking Voltage 20V 25V 30V 35V 40V P D G F A E Electrical Characteristics @ 25 Average Forward Current Peak Forward Surge Current NOTE (1) Maximum Instantaneous Forward Voltage Maximum Instantaneous Reverse Current At Rated DC Blocking NOTE (1) Voltage Maximum thermal resistance, junction to case IF(AV) IFSM VF Unless Otherwise Specified 25A 800A 400A Notes: 1.Standard Polarity:Stud is Cathode 2.Reverse Polarity:Stud is Anode DIMENSIONS INCHES MIN MAX 10 -32 UNF3A ¼ .437 .424 .505 ----.600 .820 .422 .453 .075 .175 ----.405 .310 ----.413 ----.065 .020 .060 .100 MM MIN MAX NOTE Threads Standard Polarity 10.77 11.10 ----12.82 15.24 20.82 10.72 11.50 1.91 4.44 ----10.29 ----7.87 10.49 ----0.51 1.65 1.53 2.54 TC =100 (1N5829~1N5831) (1N6095~1N6096) 8.3ms, Half s i ne 0.58V IFM =25 A; TJ = 25 TJ = 25 TJ =125 IR 2.0 mA 250 mA DIM A B C D E F G J M N P R jc 1.8 /W Mounting torque Kgf-cm 11.0~13.4 threads Not lubricated NOTE : (1) Pulse Test: Pulse Width 300 usec, Duty Cycle < 2% Transys Electronics LIMITED 1N5829(R) THRU Figure .2- Forward Derat ing Curve 30 Average ForwArd Rectified Current - AmPeres 1N6096(R) 100 60 40 Figure .1-Typical Forward Characteristics 25 I nS tantaneous Forward Current Amperes 20 125 C Am p s - 15 20 Am p s 25 C 10 6.0 4.0 10 5 Single Phase, Half Wave 60Hz Resistive or Inductive Load 0 30 60 90 120 150 180 0 Case Te mperature - 2.0 1000 Figure .4- Typical Reverse Characteristics 1.0 0 0.2 0.4 0.6 Volts 0.8 1.0 1.2 600 400 200 100 60 40 Tj =125 C Instantaneous Forward Voltage - Volts Tj =150 C 900 Figure .3- Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC method T =25 J Instantaneous Reverse Leakage Current - Mill Amperes 20 10 6 Peak Forward Surge Current -Amperes 750 600 Amps 450 1N5829~1N5831 300 150 1N6095~1N6096 0 1 2 4 6 8 10 20 Cycles Number Of Cycles At 60Hz - Cycles 40 60 80 100 m Amps 4 2 T =75 J 1 .6 .4 .2 .1 .06 .04 T =25 J .02 .01 0 10 20 30 40 50 Volts Revers Voltage - Volts
1N6096
1. 物料型号: - 1N5829(R)至1N6096(R)是一系列肖特基整流二极管,电流容量为25A,耐压范围从20V至40V。

2. 器件简介: - 这些器件是肖特基二极管,具有高浪涌能力,封装形式为DO-4 DO-4。

3. 引脚分配: - 标准极性:焊柱是阴极;反向极性:焊柱是阳极。

4. 参数特性: - 工作温度范围:-55°C至+150°C;存储温度范围:-55°C至+175°C。 - 最大直流阻断电压、最大重复峰值反向电压和最大RMS电压因型号而异,具体数值如下: - 1N5829(R):20V/14V/20V - 1N5830(R):25V/17V/25V - 1N6095(R):30V/21V/30V - 1N5831(R):35V/25V/35V - 1N6096(R):40V/28V/40V

5. 功能详解: - 平均正向电流IF(AV)为25A,峰值正向浪涌电流IFSM分别为800A(1N5829-1N5831)和400A(1N6095-1N6096),持续时间为8.3ms的半正弦波。 - 最大瞬时正向电压VF为0.58V(在25A和25°C条件下)。 - 最大瞬时反向电流IR在额定直流阻断电压下分别为2.0mA(25°C)和250mA(125°C)。 - 最大热阻,结到外壳Rgjc为1.8°C/W。

6. 应用信息: - 这些肖特基二极管适用于需要高浪涌能力的整流应用。

7. 封装信息: - 封装类型为DO-4 DO-4,具体尺寸参数如下: - A:螺纹标准,M3,螺距3A。 - B:0.424英寸至0.437英寸(10.77mm至11.10mm)。 - C至N:具体尺寸参数见上文表格。
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