1N758

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1N758 - SILICON ZENER DIODES - TRANSYS Electronics Limited

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Transys Electronics LIMITED SILICON ZENER DIODES 1N746 to 1N759 DO-35 400mW Hermetically Sealed Glass Package Zener Diodes ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT ZV 3.3 to 12 V Zener Voltage PD 400 mW D C Power Dissipation 3.2 mW/deg C Derating Above 50 deg C Tj,Tstg -65 to +175 deg C Operating & Storage Junction Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless otherwise Specified , VF

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1N758

### 物料型号 - 型号范围：1N746至1N759

### 器件简介 - 该系列为SILICON ZENER DIODES，封装形式为DO-35，400mW的密闭玻璃封装Zener二极管。

### 引脚分配 - 阴极通过带标记。

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - Zener电压（ZV）：3.3至12伏 - DC功耗（PD）：400毫瓦 - 50°C以上降额因子：每摄氏度3.2毫瓦 - 工作与存储结温范围（Tj,Tstg）：-65至+175摄氏度

- 电气特性（25°C环境温度，除非另有说明）： - 包括但不限于：额定Zener电压（VZ @IZT 3s）、Zener测试电流（IZT，毫安）、最大Zener阻抗（Zzt @IZT，欧姆）、25°C和+150°C下的最大反向电流（微安）等。

### 功能详解 - 该系列二极管为稳定电压设计，具有不同的额定Zener电压值，用于电压稳定和过压保护。

### 应用信息 - 适用于需要精确电压参考和过压保护的电路中。

### 封装信息 - DO-35玻璃轴向封装： - 包括尺寸参数，如A、B、C和D的最小值和最大值。 - 52mm胶带封装规格。 - 包装细节包括标准包装、内箱和外箱的尺寸、数量和净重/数量。

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