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2N5681

2N5681

  • 厂商:

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  • 描述:

    2N5681 - PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS - TRANSYS Electronics Limited

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2N5681 数据手册
Transys Electronics LIMITED PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS 2N5679 2N5680 PNP TO-39 2N5681 2N5682 NPN TO-39 These Are High Voltage & High Current, General Purpose Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. DESCRIPTION SYMBOL 2N5679 2N5681 100 100 2N5680 2N5682 120 120 UNITS V V V A A W mW/deg C W mW/deg C deg C VCEO Collector -Emitter Voltage VCBO Collector -Base Voltage VEBO 4.0 Emitter -Base Voltage IC 1.0 Collector Current Continuous IB 0.5 Base Current PD 1.0 Power Dissipation @Ta=25 degC 5.7 Derate Above 25deg C PD 10 Power Dissipation @Tc=25 degC 57 Derate Above 25deg C Tj, Tstg -65 to +200 Operating And Storage Junction Temperature Range THERMAL RESISTANCE Rth(j-c) 17.5 Junction to Case Rth(j-a) 175 Junction to Ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION 2N5679 2N5681 VCEO(sus) IC=10mA,IB=0 >100 Collector -Emitter Voltage ICBO VCB=100V, IE=0
2N5681
1. 物料型号: - 2N5679、2N5681为PNP型晶体管。 - 2N5680、2N5682为NPN型晶体管。

2. 器件简介: - 这些是高电压、大电流的通用晶体管。

3. 引脚分配: - 1. 发射极(Emitter) - 2. 基极(Base) - 3. 集电极(Collector)

4. 参数特性: - 集电极-发射极电压(VCEO):2N5679/2N5681为100V,2N5680/2N5682为120V。 - 集电极-基极电压(VCBO):2N5679/2N5681为100V,2N5680/2N5682为120V。 - 发射极-基极电压(VEBO):2N5679/2N5681为4.0V。 - 集电极电流连续(IC):2N5679/2N5681为1.0A。 - 基极电流(IB):2N5679/2N5681为0.5A。 - 功率耗散在Ta=25°C时(PD):2N5679/2N5681为1.0W,2N5680/2N5682为10W。 - 存储和工作结温范围(Tj, Tstg):-65到+200°C。

5. 功能详解: - 直流电流增益(hFE):2N5679/2N5681在IC=1A, VCE=2V时大于5.0。 - 集电极发射饱和电压(VCE(Sat)):2N5679/2N5681在IC=250mA, IB=25mA时小于0.60V。 - 小信号电流增益(hfe):在IC=200mA, VCE=1.5V, f=1kHz时大于20。 - 截止频率(ft):在IC=100mA, VCE=10V, f=10MHz时大于30MHz。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于高电压和大电流的应用场合。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-39金属罐封装。 - 所有尺寸以毫米为单位,详细的尺寸参数已列出。 - 包装细节:T0-39封装,每袋500片,每袋净重540克,尺寸为3"x7.5"x7.5",每箱20,000片,尺寸为17"x15"x13.5",毛重32.0千克,总重量40千克。
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