2SB1185

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2SB1185 - Plastic-Encapsulated Transistors - TRANSYS Electronics Limited

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Transys Electronics LIMITED TO-220 Plastic-Encapsulated Transistors 2SB1185 FEATURES Power dissipation PCM: 2 W (Tamb=25℃) TRANSISTOR (PNP) TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER Collector current -3 A ICM: Collector-base voltage -60 V V(BR)CBO: Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 123 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE(1) VCE(sat) VBE(sat) unless otherwise specified) Test conditions MIN TYP MAX UNIT V V V Ic=-50µA, IE=0 Ic=-1mA, IB=0 IE=-50µA, IC=0 VCB=-40V, IE=0 VEB=-4V, IC=0 VCE=-3V, IC=-0.5A IC=-2A, IB=-0.2A IC=-2A, IB=-0.2A VCE=-5V, IC=-0.5A, f=30MHz VCB=-10V, IE=0, f=1MHz -60 -50 5 -1 -1 60 320 -1 -1.5 70 50 µA µA V V MHz pF fT Cob CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range Marking D 60-120 E 100-200 F 160-320

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2SB1185

物料型号： - 型号：2SB1185 - 类型：晶体管（PNP） - 封装：TO-220

器件简介： - 2SB1185是一款PNP型晶体管，封装为TO-220，适用于功率耗散和电流控制应用。

引脚分配： - 1. BASE（基极） - 2. COLLECTOR（集电极） - 3. EMITTER（发射极）

参数特性： - 功率耗散：2W（环境温度25℃） - 集电极电流（CM）：-3A - 集电极-基极电压（BR）CBO：-60V - 工作和存储结温范围TJ, Tstg：-55℃至+150℃

功能详解： - 该晶体管具备特定的电气特性，包括击穿电压、截止电流、直流电流增益、饱和电压和转换频率等。

应用信息： - 适用于需要PNP型晶体管的电路，如放大器、开关电路等。

封装信息： - 封装类型：TO-220塑料封装。

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