2SB1260

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2SB1260 - Plastic-Encapsulated Transistors - TRANSYS Electronics Limited

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Transys Electronics LIMITED SOT-89 Plastic-Encapsulated Transistors 2SB1260 TRANSISTOR (PNP) SOT-89 1. BASE FEATURES Power dissipation 0.5 PCM: Collector current -1 ICM: Collector-base voltage -80 V(BR)CBO: W (Tamb=25℃) A V 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage unless otherwise specified) Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) Test conditions MIN -80 -80 -5 -1 -1 82 390 -0.4 V MAX UNIT V V V µA µA Ic=-50µA , IE=0 IC= -1mA , IB=0 IE=-50µA, IC=0 VCB=-60 V , IE=0 VEB=-4 V , IC=0 VCE=-3V, IC= -0.1A IC=-500 mA, IB= -50mA VCE= -5V, IC=- 50mA Transition frequency fT f = 30MHz 80 MHz CLASSIFICATION OF hFE Rank Range P 82-180 Q 120-270 R 180-390 Marking ZL

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2SB1260

### 物料型号 - 型号：2SB1260

### 器件简介 - 2SB1260是一款PNP型晶体管，封装为SOT-89。 - 引脚分配：1. 基极（BASE），2. 集电极（COLLECTOR），3. 发射极（EMITTER）。

### 参数特性 - 功耗：在环境温度25°C时，最大功耗（PcM）为0.5W。 - 集电极电流：最大集电极电流（IcM）为-1A。 - 集电极-基极击穿电压：V(BR)CBO为-80V。

### 功能详解 - 该晶体管的工作和存储结温范围是-55℃到+150℃。 - 电气特性（环境温度25℃，除非另有说明）： - 集电极-基极击穿电压：V(BRCBO)在Ic=-50μA, Ib=0时为-80V。 - 集电极-发射极击穿电压：V(BRCEO)在Ic=-1mA, Ib=0时为-80V。 - 发射极-基极击穿电压：V(BREBO)在Ie=-50μA, Ic=0时为-5V。 - 集电极截止电流：IcBO在VcB=-60V, Ib=0时为-1μA。 - 发射极截止电流：IEBO在VEB=-4V, Ic=0时为-1μA。 - DC电流增益：hFE在VcE=-3V, Ic=-0.1A时，范围为82至390。 - 集电极-发射极饱和电压：VCE(sat)在Ic=-500mA, Ib=-50mA时为-0.4V。 - 过渡频率：fr在VcE=-5V, Ic=-50mA时为30MHz，范围为80MHz。

### 应用信息 - 该晶体管适用于需要PNP型晶体管的电子电路，如放大器、开关等。

### 封装信息 - 封装类型：SOT-89。

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