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B5817W

B5817W

  • 厂商:

    TEL

  • 封装:

  • 描述:

    B5817W - SCHOTTKY BARRIER DIODE - TRANSYS Electronics Limited

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  • 价格&库存
B5817W 数据手册
B5817W FEATURES SCHOTTKY BARRIER DIODE SOD-123 PD: 450 mW (Tamb=25℃) 2. 70 1. 6 Collector current 1 A IF: Collector-base voltage 20 V VR: Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ Unit: mm MARKING: SJ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Reverse voltage leakage current Forward voltage Diode capacitance Symbol V(BR) IR VF CD Test conditions IR= 1mA VR=20V IF=1A IF=3A MIN 20 MAX UNIT V 1 0.45 0.75 120 VR=4V, f=1MHz 0. 55 3. 70 1. 05 Power dissipation mA V pF
B5817W 价格&库存

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