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B5819W

B5819W

  • 厂商:

    TEL

  • 封装:

  • 描述:

    B5819W - SCHOTTKY BARRIER DIODE - TRANSYS Electronics Limited

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B5819W 数据手册
B5819W FEATURES SCHOTTKY BARRIER DIODE SOD-123 PD: 450 mW (Tamb=25℃) 2. 70 1. 6 Collector current 1 A IF: Collector-base voltage 40 V VR: Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ Unit: mm MARKING: SL ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Reverse voltage leakage current Symbol V(BR) IR Test conditions IR= 1mA VR=40V VR=4V VR=6V IF=0.1A IF=1A IF=3A MIN 40 MAX UNIT V 1 0.05 0.075 0.45 0.6 0.9 120 Forward voltage VF Diode capacitance CD VR=4V, f=1MHz 0. 55 3. 70 1. 05 Power dissipation mA V pF
B5819W 价格&库存

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库存:4184

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      库存:1051

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