BD115

物料型号： - 型号：BD115 - 封装：TO-39 Metal Can Package

器件简介： - BD115是一款NPN硅平面高频高压晶体管。

引脚分配： - 1. EMITTER（发射极） - 2. BASE（基极） - 3. COLLECTOR（集电极）

参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-发射极电压（VCEO）：180V - 集电极-发射极电压（RBES1K，VCER）：245V - 集电极-基极电压（VCBO）：245V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流连续（Ic）：150mA - 峰值（CM）：200mA - 功率耗散@Ta=50°C（PD）：6W - 存储温度（Tj,Tstg）：-55至+200°C - 热阻（Rth(i-a)）：25°C/W

- 电气特性（Ta=25°C）： - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：180V - 集电极-基极击穿电流（BVCBO）：245V - 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：5V - 集电极截止电流（CBO）：15nA至550μA - 发射极截止电流（EBO）：100μA - 集电极-发射极饱和电压（VCE(Sat)）：3.5V - 基极-发射极导通电压（VBE(on)）：1.0V - 直流电流增益（hFE）：22至60

- 动态特性： - 转换频率（fT）：145MHz - 集电极-基极时间常数（rb'Cc）：30至100ps - 反馈电容（Cre）：3.5pF

功能详解： - BD115晶体管适用于高频高压应用，具有较高的击穿电压和电流增益，适用于放大和开关电路。

应用信息： - 该晶体管适用于高频高压应用，如射频放大器、开关电源等。

封装信息： - 封装类型：TO-39 Metal Can Package - 所有尺寸单位为毫米，具体尺寸参数如下： - A：8.50至9.39mm - B：7.74至8.50mm - C：6.09至6.60mm - D：0.40至0.53mm - E：0至0.88mm - F：2.41至2.66mm - G：4.82至5.33mm - H：0.71至0.86mm - J：0.73至1.02mm - K：12.70mm - L：42至48度