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创作活动
BD436

BD436

  • 厂商:

    TEL

  • 封装:

  • 描述:

    BD436 - EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS - TRANSYS Electronics Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD436 数据手册
Transys Electronics LIMITED EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD433 BD435 BD437 BD439 BD441 NPN BD434 BD436 BD438 BD440 BD442 PNP EC B TO126 Plastic Package Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL Collector Base Voltage Collector Emitter Voltage Collector Emitter Voltage Emitter Base Voltage Collector Current Base Current Total Dissipation @ TC=25ºC Total Dissipation @ Ta=25ºC Derate above 25ºC Operating and Storage Junction Temperature Range THERMAL RESISTANCE Junction to Case Junction to Ambient in free air Rth (j-c) Rth (j-a) 3.5 100 ºC/W ºC/W VCBO VCES VCEO VEBO IC IB PD PD BD433 BD434 22 22 22 BD435 BD436 32 32 32 BD437 BD438 45 45 45 5.0 4.0 7.0 1.0 36.0 1.25 10 - 65 to 150 BD439 BD440 60 60 60 BD441 BD442 80 80 80 UNIT V V V V A A A W W mW/ ºC ºC Collector Peak Current (t=10ms_ ICM Tj, Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise) TEST CONDITION DESCRIPTION SYMBOL BD433 BD435 BD437 BD439 BD441 BD434 BD436 BD438 BD440 BD442 VCB=Rated VCBO, IE=0 ICBO Collector Cut off Current
BD436
1. 物料型号: - NPN型:BD433, BD434, BD435, BD436, BD438, BD440, BD442 - PNP型:BD437, BD439, BD441

2. 器件简介: - 这些是外延硅功率晶体管,用于中功率线性和开关应用。

3. 引脚分配: - 1. Emitter(发射极) - 2. Collector(集电极) - 3. Base(基极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包含集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCES/VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、集电极峰值电流(IcM)、基极电流(IB)和总功耗(PD)等。 - 热阻包括结到壳(Rth(i-c))和结到环境自由空气(Rth(-a))。

5. 功能详解: - 电气特性表详细说明了不同工作条件下的参数,如集电极截止电流(IcBO、ICES)、发射极截止电流(EBO)、集电极-发射极维持电压(VCEO(sus))、集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))和基极-发射极导通电压(VBE(on))等。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于中功率线性和开关应用。

7. 封装信息: - 采用TO126(SOT-32)塑料封装。 - 提供了详细的封装尺寸和标记信息。
BD436 价格&库存

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