BD441

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BD441 - EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS - TRANSYS Electronics Limited

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BD441 数据手册

Transys Electronics LIMITED EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD433 BD435 BD437 BD439 BD441 NPN BD434 BD436 BD438 BD440 BD442 PNP EC B TO126 Plastic Package Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL Collector Base Voltage Collector Emitter Voltage Collector Emitter Voltage Emitter Base Voltage Collector Current Base Current Total Dissipation @ TC=25ºC Total Dissipation @ Ta=25ºC Derate above 25ºC Operating and Storage Junction Temperature Range THERMAL RESISTANCE Junction to Case Junction to Ambient in free air Rth (j-c) Rth (j-a) 3.5 100 ºC/W ºC/W VCBO VCES VCEO VEBO IC IB PD PD BD433 BD434 22 22 22 BD435 BD436 32 32 32 BD437 BD438 45 45 45 5.0 4.0 7.0 1.0 36.0 1.25 10 - 65 to 150 BD439 BD440 60 60 60 BD441 BD442 80 80 80 UNIT V V V V A A A W W mW/ ºC ºC Collector Peak Current (t=10ms_ ICM Tj, Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise) TEST CONDITION DESCRIPTION SYMBOL BD433 BD435 BD437 BD439 BD441 BD434 BD436 BD438 BD440 BD442 VCB=Rated VCBO, IE=0 ICBO Collector Cut off Current

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BD441

### 物料型号 - BD433、BD434、BD435、BD436、BD437、BD438、BD439、BD440、BD441、BD442

### 器件简介 - 这些是外延硅功率晶体管，主要用于中等功率的线性和开关应用。

### 引脚分配 - 1. 发射极（Emitter） - 2. 集电极（Collector） - 3. 基极（Base）

### 参数特性 - 绝对最大额定值：包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCES）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（IC）、集电极峰值电流（ICM）、基极电流（IB）等。 - 功耗：在25°C时的总功耗（PD）。 - 工作和存储结温范围：-65°C至150°C。 - 热阻：包括结到壳（Rth(j-c)）和结到环境（Rth(j-a)）的热阻。

### 功能详解 - 这些晶体管在不同条件下的电气特性，包括集电极截止电流（ICBO）、集电极截止电流（ICES）、发射极截止电流（IEBO）、集电极-发射极维持电压（VCEO(sus)）、集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、基极-发射极导通电压（VBE(on)）等。

### 应用信息 - 适用于中等功率的线性和开关应用。

### 封装信息 - TO126塑料封装。 - 提供了详细的尺寸参数，包括最小值和最大值。 - 引脚配置和包装细节，包括管装和散装的包装规格。

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