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IRF620N

IRF620N

  • 厂商:

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  • 封装:

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    IRF620N - Power MOSFET - TRANSYS Electronics Limited

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IRF620N 数据手册
IRF630N/NS/NL Power MOSFET VDSS = 200V, RDS(on) = 0.30 ohm, ID = 9.3 A D G S IRF620N IRF630NS IRF630NL Symbol ELECTRICAL CHARACTERISICS at Tj = 25 C Maximum. Unless stated Otherwise Symbol Parameter Drain to Source Breakdown Voltage Drain to Source Leakage Current Gate to Source Leakage Current Gate Threshold Voltage Test Conditions VDS = 200VDC, VGS = 0VDC VDS = 160VDC, VGS = 0VDC Tj=150 C VGS = +20VDC VGS = -20VDC VDS = VGS, ID = 250µA Value Min 200 Typ Max Unit Volt µA nA nA Volt V(BR)DSS VGS = 0 VDC, ID = 250µA IDSS IGSS VGS(th) 2.0 575 89 25 7.9 27 14 15 25 250 100 -100 4.0 0.30 35 6.5 17 Static Drain to Source On - Resistance RDS(on) VGS= 10VDC, ID = 5.4A Gate Charge Gate to Source Charge Gate to Drain Charge Input Capacitance Output Capacitance Transfer Capacitance Turn On Delay Time Turn Off Delay Time Rise Time Fall Time Continuous Source Current Pulsed Source Current Forward Voltage (Diode) QG QGS QGD CISS COSS CRSS td(on) td(off) tr tf IS ISM VSD VGS = 0VDC, IS =5.4A, Tp = 300µS VDD = 100VDC, ID = 4.8A, RG =18 RD = 20 VDS = 25VDC, VGS= 0VDC, f = 1.0MHZ ID = 5.4A VDS = 160VDC, VGS = 10VDC - nC nC nC pF pF pF nS nS nS nS A A V 9.3 37 1.3 - MAXIMUM RATINGS Parameter Gate to Source Voltage Drain to Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Total Power Dissapation Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Tj = 25 C unless stated otherwise) Symbol Condition VGS VDSS ID IDM PD RTH (J-A) (TA = 25 C) Value +/- 20V 200 9.3 37 82 62 -55 to +175 C Unit Volt Volt Amp Amp W C/W Maximum Operating Temperature Range (Tj) Page 1 of 2 IRF630N/NS/NL Power MOSFET VDSS = 200V, RDS(on) = 0.30 ohm, ID = 9.3 A Mechanical Dimensions Case TO-220-AB Plastic Dim a b c d e f g h j k m n p DIMENSIONS Millimetres Inches Min Max Min Max 10.29 2.62 6.10 3.54 14.84 13.47 1.15 1.15 3.550 4.20 1.22 2.64 0.48 0.69 10.54 2.87 6.47 3.78 15.24 14.09 1.400 2.54 4.06 4.69 1.32 2.92 0.55 0.93 0.405 0.103 0.240 0.139 0.584 0.530 0.045 0.045 0.140 0.165 0.048 0.104 0.018 0.027 0.415 0.113 0.255 0.149 0.600 0.555 0.055 0.100 0.160 0.185 0.052 0.115 0.022 0.037 d c b a m n 4 e k h f r j j p q 123 g 1 - Gate 2 & 4 - Drain 3 - Source q r Mechanical Dimensions Case SMB 220 Plastic Dim a b c d e f g h j k m n p DIMENSIONS Millimetres Inches Min Max Min Max 9.85 14.61 8.51 1.27 4.08 1.14 1.15 1.78 0.38 0.51 0.51 10.67 15.88 1.65 9.65 1.78 4.83 1.40 1.400 2.79 0.77 0.99 0.89 0.380 0.575 0.335 0.050 0.180 0.045 0.045 0.070 0.015 0.020 0.020 0.420 0.625 0.065 0.380 0.070 0.190 0.055 0.055 0.110 0.029 0.038 0.35 a c 4 d 1 2 3 f g b 1 - Gate 2 & 4 - Drain 3 - Source m n p e k j 2.54 Pitch 0.10 Pitch Mechanical Dimensions Case TO262 Plastic Dim a b c d e f g h j k m n DIMENSIONS Millimetres Inches Min Max Min Max 10.29 9.91 13.47 1.15 1.15 0.69 10.54 10.54 14.09 1.40 0.93 0.405 0.415 0.390 0.415 0.530 0.555 0.045 0.045 0.027 0.055 0.037 h a j 4 b 1 e c f n k g m 2 3 d 1 - Gate 2 & 4 - Drain 3 - Source 2.54 Pitch 4.20 4.69 1.22 1.32 0.46 2.64 3.55 0.55 2.92 4.06 0.10 Pitch 0.165 0.185 0.048 0.052 0.018 0.104 0.140 0.022 0.115 0.160 Page 2 of 2
IRF620N
### 物料型号 - 型号:IRF630N/NS/NL - 类型:Power MOSFET

### 器件简介 - IRF630N/NS/NL是由Transys Electronics生产的功率MOSFET,具有200V的漏源击穿电压、0.30欧姆的导通电阻和9.3A的漏极电流。

### 引脚分配 - 1-6:漏极(Drain)

### 参数特性 - 漏源击穿电压(VDss):200V - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.30欧姆 - 漏极电流(ID):9.3A - 漏源漏电流(IDSS):25nA(最大值,VDS=200V) - 栅源漏电流(IGSS):100nA(最大值,VGS=±20V) - 栅阈值电压(VGS(th)):2.0V(最小值)至4.0V(最大值) - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):0.30欧姆 - 栅电荷(QG)、漏电荷(QDS)和漏-栅电荷(QGS):35nC、6.5nC、17nC - 输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和传输电容(Crss):575pF、89pF、25pF - 开通延迟时间(td(on))、关断延迟时间(td(off))、上升时间(tr)和下降时间(tf):7.9ns、27ns、14ns、15ns

### 功能详解 - IRF630N/NS/NL是一款适用于高功率应用的MOSFET,具有低导通电阻和高电流承受能力,适用于需要高效率和快速开关的应用场合。

### 应用信息 - 该器件适用于需要高电压和大电流的应用,如电源管理、电机控制和高功率放大器。

### 封装信息 - TO-220-AB:10.29mm至10.54mm(长度),2.62mm至2.87mm(宽度) - SME82PP:9.85mm至10.67mm(长度),14.61mm至15.88mm(宽度) - TO262Plastic:10.29mm至10.54mm(长度),9.91mm至10.54mm(宽度)
IRF620N 价格&库存

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