### 物料型号
- 型号:IRF630N/NS/NL
- 类型:Power MOSFET
### 器件简介
- IRF630N/NS/NL是由Transys Electronics生产的功率MOSFET,具有200V的漏源击穿电压、0.30欧姆的导通电阻和9.3A的漏极电流。
### 引脚分配
- 1-6:漏极(Drain)
### 参数特性
- 漏源击穿电压(VDss):200V
- 漏源导通电阻(RDS(on)):0.30欧姆
- 漏极电流(ID):9.3A
- 漏源漏电流(IDSS):25nA(最大值,VDS=200V)
- 栅源漏电流(IGSS):100nA(最大值,VGS=±20V)
- 栅阈值电压(VGS(th)):2.0V(最小值)至4.0V(最大值)
- 静态漏源导通电阻(RDS(on)):0.30欧姆
- 栅电荷(QG)、漏电荷(QDS)和漏-栅电荷(QGS):35nC、6.5nC、17nC
- 输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和传输电容(Crss):575pF、89pF、25pF
- 开通延迟时间(td(on))、关断延迟时间(td(off))、上升时间(tr)和下降时间(tf):7.9ns、27ns、14ns、15ns
### 功能详解
- IRF630N/NS/NL是一款适用于高功率应用的MOSFET,具有低导通电阻和高电流承受能力,适用于需要高效率和快速开关的应用场合。
### 应用信息
- 该器件适用于需要高电压和大电流的应用,如电源管理、电机控制和高功率放大器。
### 封装信息
- TO-220-AB:10.29mm至10.54mm(长度),2.62mm至2.87mm(宽度)
- SME82PP:9.85mm至10.67mm(长度),14.61mm至15.88mm(宽度)
- TO262Plastic:10.29mm至10.54mm(长度),9.91mm至10.54mm(宽度)