MMST5401

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MMST5401 - Plastic-Encapsulated Transistors - TRANSYS Electronics Limited

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Transys Electronics LIMITED SOT-323 Plastic-Encapsulated Transistors SOT-323 MMST5401 FEATURES Power dissipation PCM: TRANSISTOR (PNP) 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 1. 25¡ À0. 05 1. 01 R EF 0.2 W (Tamb=25℃) 2. 30¡ À0. 05 Collector current -0.2 A ICM: Collector-base voltage -160 V V(BR)CBO: Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE(1) DC current gain hFE(2) hFE(3) VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) VBE(sat) Base-emitter voltage VBE(sat) Transition frequency Collector output capacitance 1. 30¡ À0. 03 Unit: mm unless otherwise specified) Test conditions MIN TYP MAX UNIT V V V Ic=-100µA, IE=0 Ic=-1mA, IB=0 IE=-10µA, IC=0 VCB=-120V, IE=0 VEB=-3V, IC=0 VCE=-5V, IC=-1mA VCE=-5V, IC=-10mA VCE=-5V, IC=-50mA IC=-10mA, IB=-1mA IC=-50mA, IB=-5mA IC=-10mA, IB=-1mA IC=-50mA, IB=-5mA VCE=-10V, IC=-10mA, f=100MHz VCB=-10V, IE=0, f=1MHz VCE=-5V, Ic=-0.2mA, f=1KHZ, Rg=10Ω -160 -150 -5 -50 -50 50 60 50 -0.2 -0.5 -1 -1 100 300 6 0. 30 2. 00¡ À0. 05 nA nA 240 V V V V MHz pF fT Cob NF Noise figure 8 dB Marking K4M

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MMST5401

1. 物料型号： - 型号为MMST5401。

2. 器件简介： - 该器件为SOT-323封装的塑封晶体管。

3. 引脚分配： - 1.BASE（基极） - 2.EMITTER（发射极） - 3.COLLECTOR（集电极）

4. 参数特性： - 功率耗散：0.2W（环境温度25°C时） - 集电极电流IcM：-0.2A - 集电极-基极电压V(BR)CBO：-160V - 工作温度范围：-55°C至+150°C

5. 功能详解： - 电气特性（环境温度25°C，除非另有说明） - 包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极电压、过渡频率、集电极输出电容和噪声系数等参数。

6. 应用信息： - 该器件适用于需要塑封晶体管的应用场合。

7. 封装信息： - 封装类型为SOT-323。

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