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MPSA42

MPSA42

  • 厂商:

    TEL

  • 封装:

  • 描述:

    MPSA42 - NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS - TRANSYS Electronics Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MPSA42 数据手册
Transys Electronics LIMITED NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS MPSA 42 MPSA 43 TO-92 CBE E BC High Voltage Transistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL MPSA42 Collector -Emitter Voltage Collector -Base Voltage Emitter -Base Voltage Collector Current Continuous Power Dissipation @ Ta=25 degC Derate above 25 deg C Power Dissipation @ Tc=25 degC Derate above 25 deg C Operating And Storage Junction Temperature Range THERMAL RESISTANCE Junction to Case Junction to Ambient VCEO VCBO VEBO IC PD PD Tj, Tstg 300 300 MPSA43 200 200 UNIT V V V mA mW mW./deg C W mW./deg C deg C 6 500 625 5 1.5 12 -55 to +150 Rth(j-c) Rth(j-a) 83.3 200 deg C/W deg C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION MPSA42 VCEO IC=1mA,IB=0 >300 Collector -Emitter Voltage VCBO IC=100uA.IE=0 >300 Collector -Base Voltage VEBO IE=100uA, IC=0 >6.0 Emitter-Base Voltage ICBO VCB=200V, IE=0 40 IC=30mA,VCE=10V >40 200 >6.0 40 >40
MPSA42
1. 物料型号: - 型号为MPS A42和MPS A43,这两种都是NPN型外延平面硅晶体管。

2. 器件简介: - 这些是高压晶体管,封装形式为TO-92。

3. 引脚分配: - 引脚配置为:1. 集电极(Collector)2. 基极(Base)3. 发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值:包括集电极-发射极电压(VCEO)、集电极-基极电压(VCBO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极连续电流(IC)、功率耗散(PD)等。 - 电气特性:包括集电极-发射极电压(VCEO)、集电极-基极电压(VCBO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极截止电流(ICBO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE)、集电极发射饱和电压(VCE(Sat))、基极发射饱和电压(VBE(Sat))、电流增益-带宽积(ft)和集电极基极电容(Ccb)。

5. 功能详解: - 这些晶体管主要用于需要高电压和高功率耗散的应用场合。它们具有较高的集电极-发射极电压和集电极-基极电压,适用于高压电路。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于需要高电压和高功率耗散的场合,如电源、放大器和开关电路。

7. 封装信息: - 封装形式为TO-92塑料封装,提供了详细的尺寸参数,包括体宽、体高、体厚、引脚间距等,以及包装细节,如标准包装、内箱和外箱的尺寸和重量。
MPSA42 价格&库存

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