1. 物料型号:
- BFR93/BFR93R
2. 器件简介:
- 该器件为硅NPN平面射频晶体管,特别适用于宽频带天线放大器的射频放大,直至GHz范围。
3. 引脚分配:
- BFR93:1=集电极;2=基极;3=发射极
- BFR93R:1=集电极;2=基极;3=发射极
- 两者都采用塑料封装(SOT 23)。
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- 集-基电压:20V
- 集-射电压:12V
- 发-基电压:2V
- 集电极电流:40mA
- 环境温度≤60°C时总功率耗散:200mW
- 结温:150°C
- 存储温度范围:-65至+150°C
- 最大热阻(Junction ambient):450 K/W
5. 功能详解:
- 直流电特性(Tj=25°C):
- 集-射截止电流(VCE=20V, VBE=0):最大100μA
- 集-基截止电流(VcB=10V, IE=0):最大100nA
- 发-基截止电流(VEB=2V, Ic=0):最大10μA
- 集-射击穿电压(Ic=1mA, IB=0):最小12V
- 直流正向电流转换比(VcE=5V, Ic=30mA):25至150
- 交流电特性(Tamb=25°C):
- 转换频率(VcE=5V, Ic=30mA, f=500MHz):5GHz
- 集-射电容(VcE=5V, f=1MHz):最大0.15pF
- 集-基电容(VcB=10V, f=1MHz):最大0.5pF
- 发-基电容(VEB=0.5V, f=1MHz):最大1.1pF
- 噪声系数(VcE=5V, Ic=4mA, Zs=50Ω, f=500MHz):1.9dB
- 功率增益(VCE=5V, Ic=30mA, ZL=ZLopt., f=500MHz):最大18dB
6. 应用信息:
- 适用于射频放大器,直至GHz范围,特别是宽频带天线放大器。
7. 封装信息:
- 提供了BFR93R的尺寸图,符合DIN规格,尺寸单位为毫米。