BZX85C62-TR

BZX85C62-TR

  • 厂商:

    TFUNK(威世)

  • 封装:

    DO-204AL

  • 描述:

    DIODE ZENER 62V 1.3W DO41

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BZX85C62-TR 数据手册
BZX85-Series www.vishay.com Vishay Semiconductors Zener Diodes FEATURES • Silicon planar power Zener diodes • For use in stabilizing and clipping circuits with high power rating • The Zener voltages are graded according to the international E 24 standard; replace suffix “C” with “B” for ± 2 % tolerance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES APPLICATIONS 3D 3D • Voltage stabilization 3D Models PRIMARY CHARACTERISTICS PARAMETER VALUE VZ range nom. 3.3 to 75 V Test current IZT 4 to 80 mA VZ specification Pulse current Circuit configuration UNIT Single ORDERING INFORMATION DEVICE NAME ORDERING CODE TAPED UNITS PER REEL MINIMUM ORDER QUANTITY BZX85-series BZX85-series-TR 5000 (52 mm tape on 13" reel) 25 000/box BZX85-series BZX85-series-TAP 5000 per ammopack (52 mm tape) 25 000/box PACKAGE PACKAGE NAME WEIGHT MOLDING COMPOUND FLAMMABILITY RATING MOISTURE SENSITIVITY LEVEL SOLDERING CONDITIONS DO-41 (DO-204AL) 310 mg UL 94 V-0 MSL level 1 (according J-STD-020) Peak temperature max. 260 °C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified) PARAMETER Power dissipation Zener current Junction to ambient air Junction temperature Storage temperature range TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT Valid provided that leads at a distance of 4 mm from case are kept at ambient temperature Ptot 1300 mW RthJA 110 K/W Tj 175 °C Tstg -55 to +175 °C See Table “Electrical characteristics” Valid provided that leads at a distance of 4 mm from case are kept at ambient temperature Rev. 2.5, 03-Apr-2024 Document Number: 85607 1 For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 BZX85-Series www.vishay.com Vishay Semiconductors ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified) ZENER VOLTAGE RANGE (1) PART NUMBER VZ at IZT1 TEST CURRENT IZT1 V IZT2 mA REVERSE LAEKAGE CURRENT IR at VR μA V MIN. NOM. MAX. DYNAMIC RESISTANCE ZZ at IZT1 (3) ZZK at IZT2 TEMPERATURE COEFFICIENT OF ZENER VOLTAGE ADMISSIBLE ZENER CURRENT (2) VZ at IZT1 IZ %/°C mA  MAX. MAX. MIN. MAX. BZX85C3V3 3.1 3.3 3.5 80 1 < 40 1 < 20 < 400 - 0.08 - 0.05 300 BZX85C3V6 3.4 3.6 3.8 60 1 < 20 1 < 20 < 500 - 0.08 - 0.05 290 BZX85C3V9 3.7 3.9 4.1 60 1 < 10 1 < 15 < 500 - 0.07 - 0.02 280 BZX85C4V3 4 4.3 4.6 50 1
BZX85C62-TR
物料型号:BZX85系列

器件简介: - 这些是硅平面功率齐纳二极管,适用于高功率额定值的稳定和限幅电路。 - 齐纳电压根据国际E24标准分级,若需±2%的容差,可将后缀“C”替换为“B”。 - 符合RoHS标准,无卤素。

引脚分配:文档中没有明确指出具体的引脚分配图,但通常齐纳二极管为两个引脚。

参数特性: - 工作电压范围从3.3V至75V。 - 测试电流范围从4mA至80mA。 - 电路配置为单齐纳二极管。

功能详解: - 主要用于电压稳定。

应用信息: - 用于电压稳定。

封装信息: - 封装类型为O-41 (DO-204AL),重量为310mg。 - 阻燃等级为UL94V-0,湿度敏感等级为MSL 1级。 - 焊接条件为峰值温度不超过260°C。

绝对最大额定值: - 总功耗为1300mW,齐纳电流见电气特性表。 - 结至环境空气的热阻为110℃/W,结温为175℃。 - 存储温度范围为-55°C至+175°C。

电气特性: - 提供了不同型号的齐纳电压范围、测试电流、反向漏电流、动态电阻和齐纳电压的温度系数等详细参数。

图表: - 提供了脉冲热阻与脉冲持续时间的关系图、允许功耗与环境温度的关系图、动态电阻与齐纳电流的关系图以及击穿特性图。

免责声明: - Vishay对产品规格和数据表中的任何错误、不准确或不完整不承担任何责任。 - Vishay不保证产品的适用性或持续生产。 - Vishay不承担因产品应用或使用引起的任何责任。

联系信息: - 提供了Vishay美洲、亚洲和欧洲的技术支持电子邮件地址。

版权声明: - 文档的所有权利由Vishay Intertechnology, Inc.所有。
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