SI2308BDS-T1-BE3

物料型号：Si2308BDS

器件简介：Si2308BDS 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N-Channel 60 V (D-S) MOSFET，采用 SOT-23 (TO-236) 封装。

这款器件是无卤素且符合 RoHS 标准的。

引脚分配： - D（漏极） - S（源极） - G（栅极）

参数特性： - 最大漏源电压（VDs(M)）：60V - 最大导通电阻（Ros(on)）：在 Vas = 10V 时为 0.156Ω，Vos = 4.5V 时为 0.192Ω - 典型栅极电荷（Qg）：2.3nC - 连续漏极电流（lo）：2.1A - 配置：单个

功能详解： - 符合 IEC 61249-2-21 的无卤素产品 - TrenchFET® 功率 MOSFET - 100% $R_g$ 和 UIS 测试 - 材料分类：符合 www.vishay.com/doc?

99912 上的定义

应用信息： - 电池开关 - DC/DC 转换器

封装信息： - 封装类型：TSOP-6 Single - 无铅：SI2308BDS-T1-E3 - 无铅无卤素：SI2308BDS-T1-GE3 和 SI2308BDS-T1-BE3

此外，Si2308BDS 提供了详细的电气参数，包括静态和动态特性，以及最大结到环境热阻、稳态结到漏极热阻等热性能参数。

还有关于封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸的详细信息。