物料型号：Si2308BDS
器件简介：Si2308BDS 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N-Channel 60 V (D-S) MOSFET，采用 SOT-23 (TO-236) 封装。
这款器件是无卤素且符合 RoHS 标准的。
引脚分配：
- D（漏极）
- S（源极）
- G（栅极）
参数特性：
- 最大漏源电压（VDs(M)）：60V
- 最大导通电阻（Ros(on)）：在 Vas = 10V 时为 0.156Ω，Vos = 4.5V 时为 0.192Ω
- 典型栅极电荷（Qg）：2.3nC
- 连续漏极电流（lo）：2.1A
- 配置：单个
功能详解：
- 符合 IEC 61249-2-21 的无卤素产品
- TrenchFET® 功率 MOSFET
- 100% $R_g$ 和 UIS 测试
- 材料分类：符合 www.vishay.com/doc?
99912 上的定义
应用信息：
- 电池开关
- DC/DC 转换器
封装信息：
- 封装类型：TSOP-6 Single
- 无铅：SI2308BDS-T1-E3
- 无铅无卤素：SI2308BDS-T1-GE3 和 SI2308BDS-T1-BE3
此外，Si2308BDS 提供了详细的电气参数，包括静态和动态特性，以及最大结到环境热阻、稳态结到漏极热阻等热性能参数。
还有关于封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸的详细信息。
