物料型号：Si2369DS
器件简介：Si2369DS 是一款 P-Channel 30V (D-S) MOSFET，采用 SOT-23 (TO-236) 封装。
引脚分配：SOT-23 封装的引脚从左到右依次为：D（漏极）、G（栅极）、S（源极）。
参数特性：漏源电压（VDs）最大 -30V，栅源电压（Vgs）最大 -10V 时导通电阻（RDS(on)）最大 0.029Ω，Qg（典型值）为 11.4nC，连续漏极电流（ID）最大 -7.6A。
功能详解：该器件为 TrenchFET® 功率 MOSFET，100% Rg 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。
应用信息：适用于移动计算领域，如负载开关、笔记本电脑适配器开关、DC/DC 转换器。
封装信息：SOT-23 封装，无铅和无卤素，型号为 Si2369DS-T1-GE3。
封装尺寸和引脚间距信息详细列出。
以上信息摘自 Vishay 提供的 Si2369DS 数据手册。
