物料型号:Si2369DS
器件简介:Si2369DS 是一款 P-Channel 30V (D-S) MOSFET,采用 SOT-23 (TO-236) 封装。
引脚分配:SOT-23 封装的引脚从左到右依次为:D(漏极)、G(栅极)、S(源极)。
参数特性:漏源电压(VDs)最大 -30V,栅源电压(Vgs)最大 -10V 时导通电阻(RDS(on))最大 0.029Ω,Qg(典型值)为 11.4nC,连续漏极电流(ID)最大 -7.6A。
功能详解:该器件为 TrenchFET® 功率 MOSFET,100% Rg 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。
应用信息:适用于移动计算领域,如负载开关、笔记本电脑适配器开关、DC/DC 转换器。
封装信息:SOT-23 封装,无铅和无卤素,型号为 Si2369DS-T1-GE3。
封装尺寸和引脚间距信息详细列出。
以上信息摘自 Vishay 提供的 Si2369DS 数据手册。