SI2392BDS-T1-GE3

物料型号：Si2392BDS

器件简介：Si2392BDS 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N-Channel 100 V (D-S) MOSFET，采用 TrenchFET® Gen IV 技术，100% Rg 和 UIS 测试，符合材料分类标准，是无铅和无卤素的产品。

引脚分配：Si2392BDS 采用 SOT-23 (TO-236) 封装，引脚从顶部视图分别为：D（漏极）、G（栅极）、S（源极）。

参数特性： - 漏源电压（Vds(M)）：100V - 导通电阻（RDS(on)）最大值：在 Vas=10V 时为 0.149 ohm，在 Vas=4.5V 时为 0.180 ohm - 栅极电荷（Qgtyp）：2.2nC - 连续漏极电流（ID）：2.3A

功能详解： - 适用于 DC/DC 转换器、升压转换器、负载开关、液晶电视背光、移动计算电源管理等应用。

- 具有低导通电阻和低栅极电荷，适合需要高效率和快速开关的应用。

应用信息：Si2392BDS 可用于需要高电压、大电流和快速开关的应用，如电源转换和管理。

封装信息：Si2392BDS 提供 SOT-23 封装，符合 RoHS 标准，无铅和无卤素，具体封装型号为 Si2392BDS-T1-GE3（无铅和无卤素）和 Si2392BDS-T1-BE3（替代制造位置）。