SI3459BDV-T1-BE3

物料型号：Si3459BDV

器件简介：Si3459BDV是一款P沟道60V（D-S）MOSFET，采用TrenchFET®技术，100% Rg测试，适用于负载开关等应用。

引脚分配：TSOP-6封装，引脚从1到6，分别为D1, D2, S, D3, G, D4。

参数特性： - 漏源电压（Vps）：-60V - 栅源电压（Vas）：±20V - 连续漏电流（Id）：-2.9A（25°C时） - 脉冲漏电流（IoM）：-8A - 最大功耗（PD）：3.3W（25°C时） - 工作结温范围（TJTstg）：-55至+150°C

功能详解： - 该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于负载开关等需要快速切换的应用。 - 它还具有低栅极电荷和低输入电容，有助于减少开关损耗和提高效率。

应用信息：主要应用于负载开关。

封装信息：TSOP-6封装，有两种版本，一种是无铅（Si3459BDV-T1-E3），另一种是无铅且无卤素（Si3459BDV-T1-GE3）。