SI7116BDN-T1-GE3

物料型号：Si7116BDN 器件简介：N-Channel 40 V (D-S) MOSFET，采用PowerPAK® 1212-8PT封装，特点是符合RoHS且无卤素，具有TrenchFET® Gen IV技术，低Qg和Qoss以降低功率损耗，优化的Qg、Qgd和Qgs比率以减少开关损耗，提高效率。

引脚分配：D（漏极）、S（源极）、G（栅极） 参数特性：漏源电压（VDs）最大40V，导通电阻（RDS(on)）最大0.0096Ω（在VGS=4.5V时），典型门极电荷（Qg）14.2nC，连续漏电流（ID）最大65A。

功能详解：适用于同步整流、同步降压转换器、高功率密度DC/DC转换器、负载开关等应用。

应用信息：适用于同步整流、同步降压转换器、高功率密度DC/DC转换器、负载开关等应用。

封装信息：PowerPAK 1212-8PT，无铅、无卤素封装，型号Si7116BDN-T1-GE3。