物料型号：
- SiHH240N60E
器件简介：
- SiHH240N60E是Vishay Siliconix生产的N-Channel MOSFET，属于第四代E系列技术。
引脚分配：
- Pin 1: gate
- Pin 2: Kelvin connection
- Pin 3: source
- Pin 4: drain
参数特性：
- 漏源电压（Vds）：600V
- 栅源电压（Vgs）：±30V
- 连续漏极电流（Id）：12A（Tc=25°C）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：3.0V至5.0V
- 栅源漏电流（Igss）：±100nA至±1μA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：0.208Ω至0.240Ω
- 输入电容（Ciss）：783pF
- 输出电容（Coss）：50pF
- 反向转移电容（Crss）：5pF
- 总栅电荷（Qg）：15nC至23nC
功能详解：
- 该器件具有低有效电容和低导通电阻，减少了开关和导通损耗，适用于需要高效率和高功率密度的应用。
- 它还具有雪崩能量额定值（UIS），能够在极端条件下提供保护。
应用信息：
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明 - 高强度放电（HID） - 荧光球ast照明
- 工业 - 焊接 - 感应加热 - 电机驱动 - 电池充电器 - 太阳能（PV逆变器）
封装信息：
- PowerPAK 8 x 8封装
- 无铅和无卤素
- 型号：SiHH240N60E-T1-GE3
