SIR798DP-T1-GE3

物料型号：SiR798DP 器件简介：N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 引脚分配：PowerPAK® SO-8 封装，共8个引脚 参数特性：例如漏源电压(VDs)最大30V，导通电阻(RDS(on))最大0.00300Ω（在VGs=4.5V时） 功能详解：SkyFET® Monolithic TrenchFET® Power MOSFET和肖特基二极管的组合 应用信息：适用于笔记本电脑的Vcore和内存低压侧应用 封装信息：PowerPAK® SO-8封装，尺寸为6.15 mm x 5.15 mm

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