SIZ322DT-T1-GE3

物料型号：SiZ322DT 器件简介：SiZ322DT 是 Vishay Siliconix 生产的一款双 N 沟道 25V（D-S）MOSFET，采用 PowerPAIR® 3 x 3 封装技术，符合 RoHS 标准且无卤素，是高频开关应用的理想选择。

引脚分配：该器件包含两个 N 沟道 MOSFET，分别为 S1/D2（引脚 9）和 D1（引脚 2）。

参数特性：具有最大漏源电压 25V，最大导通电阻 0.00635Ω（在 Vgs=10V 时），典型栅电荷 6.2nC，最大漏电流 30A。

功能详解：SiZ322DT 优化了 RDS(on)-Qg 和 RDS(on)-Qgd 的性能，适用于同步降压、DC/DC 转换、半桥和 POL 应用。

应用信息：适用于同步降压、DC/DC 转换、半桥和 POL 应用。

封装信息：采用 PowerPAIR3x3 封装，无铅且无卤素，详细信息包括尺寸和引脚布局。

以上信息摘自 Vishay 提供的 SiZ322DT 数据手册。