物料型号：SQ3426CEV
器件简介：汽车级N沟道60V (D-S) 175°C MOSFET，采用TrenchFET®技术，符合AEC-Q101标准，100%经过$R_g$和UIS测试。
引脚分配：S（源极）- 4号引脚，D（漏极）- 1、2、5、6号引脚，G（栅极）- 3号引脚。
参数特性：VDS（漏源电压）60V，RDS(on)（在VGS=10V时的漏源导通电阻）0.042Ω，ID（连续漏极电流）7A。
功能详解：该器件为单N沟道MOSFET，适用于汽车应用，具有低导通电阻和符合汽车行业标准的可靠性。
应用信息：适用于汽车电子系统中，如电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器等。
封装信息：TSOP-6封装，符合RoHS且无卤素，详细订单信息请参考Vishay官网。
以上信息摘自Vishay官网提供的PDF文档，如需更详细技术规格和应用指南，建议访问Vishay官网或联系技术支持。
