SQ3426EV-T1_BE3

SQ3426EV-T1_BE3

  • 厂商:

    TFUNK(威世)

  • 封装:

    SOT23-6

  • 描述:

    表面贴装型 N 通道 60 V 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP

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SQ3426EV-T1_BE3 数据手册
SQ3426EV-T1_BE3
物料型号:SQ3426EV

器件简介:SQ3426EV 是 Vishay Siliconix 生产的一款汽车级 N-Channel 60V (D-S) MOSFET,采用 TSOP-6 封装。

它通过了 AEC-Q101 认证,100%进行了 $R_g$ 和 UIS 测试。


引脚分配: - S (Source):引脚 4 - G (Gate):引脚 2 - D (Drain):引脚 1, 3, 5, 6

参数特性: - 漏源电压 (VDs):60V - 导通电阻 (RDS(on)):在 Vs=10V 时为 0.042Ω,在 Vs=4.5V 时为 0.063Ω - 连续漏极电流 (I_D):在 Tc=25°C 时为 7A,在 Tc=125°C 时为 4A - 脉冲漏极电流 (IDM):29A - 单脉冲雪崩电流 (IAS):10A - 最大功耗 (P_o):在 Tc=25°C 时为 5W,在 Tc=125°C 时为 1.6W - 工作结温和存储温度范围 (T_J,Tstg):-55 到 +175°C

功能详解: - 该器件为 TrenchFET® 功率 MOSFET,具有低导通电阻和高耐压特性,适用于汽车电子领域的各种应用。


应用信息: - 由于其汽车级认证和电气特性,SQ3426EV 适用于汽车电子中的多种应用,如电源管理、电机控制和电池保护等。


封装信息: - 封装形式为 TSOP-6,无铅且无卤素,详细订单编号请参考 Vishay 官网。


以上信息摘自产品数据手册,具体应用时需参考完整手册并进行必要的设计验证。

如需技术问题解答,可联系 Vishay 的技术支持。
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      •  国内价格
      • 10+11.47040
      • 200+6.84250
      • 800+4.78970
      • 3000+3.42120
      • 6000+3.25020
      • 30000+3.01070

      库存:6000