SQS840EN-T1_BE3

物料型号： - SQS840EN

器件简介： - 该器件是一个汽车级的N沟道40V（D-S）175°C MOSFET，采用TrenchFET®技术，符合AEC-Q101标准，并经过100% $R_g$和UIS测试。

引脚分配： - 该器件采用PowerPAK 1212-8封装，具有8个引脚。

参数特性： - 漏源电压（VDs）：40V - 漏源导通电阻（RDS(on)）：在Vas = 10V时为0.0200Ω，在Vas = 4.5V时为0.0300Ω - 连续漏电流（ID）：12A - 封装：PowerPAK 1212-8，无铅和无卤素

功能详解： - 该MOSFET具有低导通电阻和高耐压特性，适用于需要高效率和高可靠性的汽车应用。

应用信息： - 适用于汽车电子领域，特别是在需要高温度耐受和高可靠性的场合。

封装信息： - PowerPAK 1212-8封装，具有超低热阻，适合空间受限的应用。封装详细信息和尺寸图可在Vishay官网查询。