物料型号：SQS850EN
器件简介：SQS850EN 是一款由 Vishay Siliconix 生产的汽车级 N-Channel 60V (D-S) MOSFET，采用 TrenchFET® 技术，符合 AEC-Q101 标准，适用于 175°C 的工作环境。
引脚分配：该器件采用 PowerPAK® 1212-8 封装，具有 8 个引脚，包括漏极（D）、源极（S）、门极（G）。
参数特性：主要参数包括漏源导通电阻（RDS(on)）、漏源击穿电压（VDS）、门源电压（VGS）等，具体数值依据不同工作条件有所不同。
功能详解：SQS850EN 具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效率和高功率密度的应用场合。
应用信息：适用于汽车电子、工业控制、电源管理等高温环境的应用。
封装信息：PowerPAK® 1212-8 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3mm，符合 RoHS 标准，无卤素。
以上信息摘自 Vishay 官网提供的 SQS850EN 数据手册。
