V10PM6HM3/I

厂商：
TFUNK(威世)
封装：
SMPC(TO-277A)
描述：
RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27

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V10PM6HM3/I 数据手册

V10PM6 www.vishay.com Vishay General Semiconductor High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A FEATURES eSMP® Series • Very low profile - typical height of 1.1 mm Available • Trench MOS Schottky technology K • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation 1 • Meets MSL level 1, per LF maximum peak of 260 °C 2 J-STD-020, SMPC (TO-277A) • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code; base P/NHM3 K Anode 1 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Cathode Anode 2 TYPICAL APPLICATIONS DESIGN SUPPORT TOOLS click logo to get started For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Models Available MECHANICAL DATA PRIMARY CHARACTERISTICS IF(AV) 10.0 A VRRM 60 V IFSM 180 A VF at IF = 10.0 A (TA = 125 °C) 0.52 V TJ max. 175 °C Package SMPC (TO-277A) Circuit configuration Single Case: SMPC (TO-277A) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and commercial grade Base P/NHM3 - halogen-free, RoHS-compliant, and AEC-Q101 qualified Terminals: matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102 M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Device marking code V10PM6 UNIT V10M6 VRRM 60 IF (1) 10.0 IF (2) 4.6 Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 180 A Operating junction temperature range TJ (3) -40 to +175 °C Storage temperature range TSTG -55 to +175 °C Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum average forward rectified current (fig. 1) V A Notes (1) Mounted on 30 mm x 30 mm pad areas aluminum PCB (2) Free air, mounted on recommended copper pad area (3) The heat generated must be less than the thermal conductivity from junction-to-ambient: dP /dT

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V10PM6HM3/I

物料型号：V10PM6

器件简介： - Vishay的eSMP®系列中的TMBS®（Trench MOS Barrier Schottky）整流器，具有超低正向电压降（Ultra Low VF）。 - 专为低电压高频率逆变器、自由轮流通道、DC/DC转换器和极性保护应用设计。

引脚分配： - 有两个阳极（Anode 1和Anode 2）和一个阴极（Cathode）。

参数特性： - 正向平均电流（IF(AV)）：10.0A - 反向峰值电压（VRRM）：60V - 峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A - 最大工作温度（T max.）：175°C - 封装类型：SMPC(TO-277A)

功能详解： - 器件采用Trench MOS Schottky技术，具有低正向电压降和低功耗。 - 高效率操作，符合MSL等级1标准，LF最大峰值温度为260°C。 - 符合RoHS标准，无卤素，AEC-Q101认证可用。

应用信息： - 适用于低电压高频率逆变器、自由轮流通道、DC/DC转换器和极性保护等应用。

封装信息： - 封装类型为SMPC (TO-277A)，符合UL 94 V-0阻燃等级。 - 基座型号M3 - 无卤素，符合RoHS标准，商业级。 - 基座型号HM3 - 无卤素，符合RoHS标准，并通过AEC-Q101认证。

订购信息： - 提供了不同包装代码和基数量的订购选项，例如V10PM6-M3/H和V10PM6HM3/H等。

电气特性和热特性表格提供了详细的技术参数，包括瞬时正向电压、反向电流、典型结电容和热阻等。

订购信息表格提供了订购时所需的产品编号、单位重量、包装代码、基数量和交货方式。