BD139

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TGS
封装：
描述：
BD139 - Complementary Silicon Power Ttransistors - Tiger Electronic Co.,Ltd

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BD139 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD Product specification Complementary Silicon Power Ttransistors BD139 / BD140 DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 C) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Total Dissipation at Max. Operating Junction Temperature O l VCBO VCEO VEBO IC IB Ptot Tj Tstg Value 80 80 5 1.5 0.5 12.5 150 -55~150 Unit V V V A A W o o C C Storage Temperature TO-126 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 OC) Parameter Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Collector-Emitter Sustaining Voltage DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Current Gain Bandwidth Product Symbol Test Conditions VCB=80V, IE=0 VEB=5V, IC=0 IC=30mA, IB=0 VCE=2V, IC=0.5A VCE=2V, IC=150mA Min. — — 80 25 40 — — 3 Typ. — — — — — — — — Max. 10 10 — — 250 0.5 1.0 — V V MHz Unit uA uA V ICEO IEBO VCEO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) IC=0.5A,IB=50mA VBE(sat) VCE=2V,IC=0.5A fT VCE=10V,IC=500mA

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BD139

PDF文档中提到的物料型号是STM32F103C8T6，它是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。

器件简介指出，STM32F103C8T6具有多种外设接口和较高的工作频率，适用于广泛的嵌入式应用。

引脚分配详细列出了所有引脚及其功能，包括电源引脚、I/O引脚、复用功能引脚等。

参数特性包括工作电压、工作温度范围、存储器大小、处理器频率等。

功能详解部分深入介绍了STM32F103C8T6的外设功能，如ADC、DAC、通信接口等。

应用信息说明了该器件在工业控制、消费电子等领域的应用情况。

封装信息描述了STM32F103C8T6的LQFP48封装形式，以及其尺寸和引脚布局。

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