CSD13201W10

物料型号：CSD13201W10

器件简介：这是一款12V，26-mΩ的N-Channel设备，设计用于在最小的外形尺寸内提供最低的导通电阻和栅极电荷，具有出色的热特性和超低轮廓。

引脚分配：该器件采用1mmx1mm Wafer Level Package封装，引脚配置为： - A2：源极(Source) - A1：栅极(Gate) - B1, B2：漏极(Drain)

参数特性：包括但不限于： - 栅极电荷(Qg)：在4.5V时典型值为2.3nC - 栅极到漏极的栅极电荷(Qad)：典型值为0.3nC - 导通电阻(Rps(on))：在Vas=1.8V时典型值为38mQ，在Vas=2.5V时为29mQ，在Vas=4.5V时为26mQ - 阈值电压(Vash)：典型值为0.8V

功能详解：该MOSFET具有超低的栅极电荷和导通电阻，适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。

应用信息：适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用场景。

封装信息：提供7英寸卷轴包装，3000个/卷，采用胶带和卷轴封装方式。