CSD13302W

1. 物料型号： - CSD13302W

2. 器件简介： - 该器件是一个12V N沟道NexFET™功率MOSFET，具备超低导通电阻和栅极电荷，尺寸为1mm×1mm，具有出色的热特性和超低厚度。

3. 引脚分配： - A2: Source（源极） - A1: Gate（栅极） - B1, B2: Drain（漏极）

4. 参数特性： - 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=2.5V时为21.2mΩ，在VGS=4.5V时为14.6mΩ。 - 阈值电压（VGS(th)）：1.0V。 - 栅极电荷（Qg）：在4.5V下为6.0nC。 - 漏源电压（VDS）：12V。

5. 功能详解： - 该器件设计用于提供最小的导通电阻和栅极电荷，适合于需要低功耗和快速开关的应用。

6. 应用信息： - 电池管理、负载开关、电池保护。

7. 封装信息： - 提供DSBGA封装，尺寸为1.0mm×1.0mm。 - 封装类型：DSBGA。 - 引脚数量：4。 - 包装类型：7英寸卷轴，3000个/卷。 - 环保标准：符合RoHS和绿色标准。 - 焊球/端帽材料：SNAGCU。 - 湿度敏感等级：1级，无铅峰值温度260°C。