CSD16327Q3

物料型号：CSD16327Q3 器件简介：25V N-Channel NexFET™ Power MOSFET，优化5V门驱动，超低Qg和Qgd，低热阻，雪崩额定，无铅终端镀层，符合RoHS和无卤素标准，SON 3.3mm×3.3mm塑料封装。

引脚分配：源极(S)、漏极(D)、栅极(G)。

参数特性：漏源电压(Vps) 25V，门电荷(Qg) 6.2nC，门电荷(Qgd) 1.1nC，漏源导通电阻(RDS(on))在VGs=3V时为5mΩ，在VGs=8V时为3.4mΩ，阈值电压(Vas(th)) 1.2V。

功能详解：适用于网络、电信和计算系统中的同步降压转换器，优化用于控制或同步FET应用。

应用信息：点对点负载同步降压转换器，适用于网络、电信和计算系统。

封装信息：SON 3.3mm×3.3mm塑料封装，还提供卷带封装选项。

以上信息摘自德州仪器(Texas Instruments)提供的CSD16327Q3数据手册。