CSD16414Q5

物料型号：CSD16414Q5

器件简介：NexFET™ Power MOSFET，设计用于最小化功率转换应用中的损耗。

引脚分配：文档中提供了顶视图，显示了S（源极）、D（漏极）和G（栅极）的引脚位置。

参数特性： - 极低的栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd) - 低热阻 - 雪崩等级 - 无铅终端镀层 - 符合RoHS和无卤素标准 - 5mm x 6mm的塑料封装

功能详解： - 适用于网络、电信和计算系统中的同步降压转换器。 - 绝对最大额定值包括：Vps（漏源电压）、Vas（栅源电压）、ID（连续漏源电流）、IoM（脉冲漏源电流）、Po（功率耗散）、TJ TSTG（工作结和存储温度范围）、EAS（雪崩能量）等。

应用信息： - 优化用于同步FET应用。

封装信息： - 提供了Q5封装尺寸的详细信息，包括机械数据和推荐PCB布局。

电气特性和热特性表格提供了详细的操作条件、最小值、典型值和最大值。此外，还包括了MOSFET特性图表，例如饱和特性、转移特性、栅极电荷、电容特性、阈值电压与温度的关系、导通电阻与栅极电压和温度的关系、二极管正向电压等。