CSD16570Q5B

物料型号：CSD16570Q5B

器件简介： 这款25V, 0.49 mΩ, SON 5×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在最小化ORing和热插拔应用的电阻，并不适用于开关应用。

引脚分配： - GATE（门极） - SOURCE（源极） - DRAIN（漏极）

参数特性： - 漏源电压（Vps）：25V - 门极电荷总和（Qg）：95nC（在4.5V下） - 门极到漏极的电荷（Qgd）：31nC - 漏源通态电阻（RDS(on)）：0.68mΩ（在VGs=4.5V时）和0.49mΩ（在VGs=10V时） - 阈值电压（VGs(th)）：1.5V

功能详解： 该器件具有极低的电阻和电荷特性，使其非常适合用于ORing和热插拔应用。它还具有低热阻、符合RoHS和无卤素的Pb Free终端镀层。

应用信息： - 适用于ORing和热插拔应用。

封装信息： - 5-mm × 6-mm Plastic Package（SON封装）