CSD17304Q3

物料型号： - CSD17304Q3

器件简介： CSD17304Q3是德州仪器生产的30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET，优化用于5V门驱动，具有超低的Qg和Qgd，低热阻，符合RoHS标准，无铅终端镀层。

引脚分配： - GATE（门极） - SOURCE（源极） - DRAIN（漏极）

参数特性： - Vps（漏源电压）：30V - Qg（总门电荷@4.5V）：5.1nC - Qgd（门漏电荷）：1.1nC - Rps(on)（漏源导通电阻）：在Vas=3V时为9.8mΩ，在Vas=4.5V时为6.9mΩ，在VGs=8V时为5.9mΩ - VGs(th)（阈值电压）：1.3V

功能详解： NexFET™功率MOSFET旨在最小化功率转换应用中的损耗，特别优化用于5V门驱动应用。具有低热阻、无铅终端镀层，并且符合RoHS标准。

应用信息： 适用于笔记本电脑点负载、网络、电信和计算系统中的同步降压转换器。

封装信息： - 封装类型：SON 3.3-mm×3.3-mm塑料封装 - 包装：13英寸卷带，每卷2500个，采用胶带和卷带包装