CSD17505Q5A

物料型号：CSD17505Q5A

器件简介：30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET，设计用于最小化功率转换应用中的损耗。

引脚分配：文档中提供了顶视图，显示了D（漏极）、S（源极）和G（栅极）的引脚位置。

参数特性： - 漏源电压（Vps）：30V - 栅极电荷（Qg）：10nC（在4.5V时） - 栅漏极电荷（Qgd）：2.7nC - 导通电阻（RDS(on)）：在4.5V时为3.7mΩ，在10V时为2.9mΩ - 阈值电压（VGsh）：1.3V

功能详解： - 该MOSFET具有超低的栅极电荷和栅漏极电荷，低热阻，并且是雪崩额定的。 - 它符合RoHS标准，并且终端镀层无铅。 - 适用于同步整流降压在网络、电信和计算系统中的点对点应用。

应用信息： - 适用于控制和同步FET应用，优化用于同步降压转换器。

封装信息： - 提供5毫米×6毫米的塑料封装（SON）。 - 还提供了订购信息，包括卷带包装和数量。

电气特性和热特性表格提供了详细的操作条件和相应的最小、典型和最大值。