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CSD17527Q5A

CSD17527Q5A

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD17527Q5A datasheet (Rev. A)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSD17527Q5A 数据手册
CSD17527Q5A
物料型号:CSD17527Q5A 器件简介:NexFET™ 功率 MOSFET,旨在减少功率转换应用中的损耗。

引脚分配:8个引脚,包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。

参数特性:漏源电压(Vos)最大30V,栅极电荷(Qg)典型值2.8nC,导通电阻(Rds(on))在不同电压下分别为12.5mΩ、9.3mΩ。

功能详解:具有超低的栅极电荷和低热阻特性,雪崩额定,符合RoHS和无卤要求。

应用信息:适用于网络、电信和计算系统中的点对负载同步降压转换器。

封装信息:5mm x 6mm的塑料封装,采用13英寸卷带包装,每卷2500件。


电气特性包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向转移电容(Crss)、栅极电荷(Qg)等。

热阻特性包括结到外壳热阻(ReJc)和结到环境热阻(ReJA)。

封装尺寸和PCB布局推荐也在文档中提供。
CSD17527Q5A 价格&库存

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