物料型号:CSD17527Q5A
器件简介:NexFET™ 功率 MOSFET,旨在减少功率转换应用中的损耗。
引脚分配:8个引脚,包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。
参数特性:漏源电压(Vos)最大30V,栅极电荷(Qg)典型值2.8nC,导通电阻(Rds(on))在不同电压下分别为12.5mΩ、9.3mΩ。
功能详解:具有超低的栅极电荷和低热阻特性,雪崩额定,符合RoHS和无卤要求。
应用信息:适用于网络、电信和计算系统中的点对负载同步降压转换器。
封装信息:5mm x 6mm的塑料封装,采用13英寸卷带包装,每卷2500件。
电气特性包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向转移电容(Crss)、栅极电荷(Qg)等。
热阻特性包括结到外壳热阻(ReJc)和结到环境热阻(ReJA)。
封装尺寸和PCB布局推荐也在文档中提供。