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CSD17577Q3A

CSD17577Q3A

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    CSD17577Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSD17577Q3A 数据手册
CSD17577Q3A
物料型号: - 型号:CSD17577Q3A - 封装:SON 3.3 × 3.3 mm Plastic Package Tape and Reel

器件简介: - 该型号是一款30V,4.0 mΩ的NexFET™ 功率MOSFET,旨在降低电源转换应用中的电阻。

引脚分配: - 该器件为8引脚的VSONP封装。

参数特性: - 漏源电压(VDS):30V - 门电荷总量(Qg):12nC(在4.5V下) - 门到漏的电荷(Qgd):2.5nC - 漏源导通电阻(RDS(on)):在4.5V下为5.3mΩ,在10V下为4.0mΩ - 阈值电压(VGS(th)):1.4V

功能详解: - 该器件具有低Qg和Qgd,低热阻,雪崩额定,无铅,符合RoHS和无卤素标准。

应用信息: - 适用于网络、电信和计算系统中的点负载同步降压转换器,优化用于控制和同步FET应用。

封装信息: - 提供SON 3.3 × 3.3 mm封装,该封装的热垫必须焊接到印刷电路板上,以确保热和机械性能。 - 封装的典型结到外壳热阻(RθJC)为3.0°C/W,结到环境热阻(RθJA)为55°C/W。
CSD17577Q3A 价格&库存

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CSD17577Q3A
  •  国内价格
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  • 30+7.70029
  • 100+7.35805
  • 500+7.01582
  • 1000+6.8447

库存:0