CSD17579Q3A

物料型号：CSD17579Q3A

器件简介： - 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs - 低Qg和Qgd - 低RDS(on) - 低热阻 - 雪崩等级 - 无铅 - 符合RoHS标准 - 无卤素 - 3.3 mm × 3.3 mm SON塑料封装

引脚分配： - 引脚1：GATE - 引脚2：DRAIN - 引脚3：SOURCE

参数特性： - 漏源电压（Vps）：30V - 门极电荷总和（Qg）：5.3nC（4.5V时） - 门极到漏极的电荷（Qgd）：1.2nC - 漏源导通电阻（RDS(on)）：11.8mΩ（VGs=4.5V时） - 阈值电压（VGsth）：1.5V - 栅源电压（VGs）：+20V - 连续漏极电流（I）：20A（封装限制），39A（硅限制） - 脉冲漏极电流（IOM）：106A - 功率耗散：2.5W

功能详解： - 适用于网络、电信和计算系统中的负载点同步降压转换器 - 适用于控制FET应用 - 设计以最小化功率转换应用中的损耗

应用信息： - 点对点同步降压转换器 - 控制FET应用

封装信息： - 8引脚VSON封装 - 封装类型：VSONP - 封装尺寸：3.3 mm × 3.3 mm - 封装热阻（RθJC）：最大5.4°C/W - 封装热阻（RθJA）：最大60°C/W - 封装标记：17579