物料型号: CSD18502KCS
器件简介:
- 这是一款40V N-Channel NexFET™功率MOSFET,设计用于减少功率转换应用中的损耗。
引脚分配:
- 漏极(Pin 2)
- 栅极(Pin 1)
- 源极(Pin 3)
参数特性:
- 工作温度范围:-55°C 至 175°C
- 阈值电压(VGsth):1.8V
- 导通电阻(RDs(on)):在VGs=4.5V时为3.3mΩ,VGs=10V时为2.4mΩ
- 栅极电荷(Qg):在10V时为52nC
- 栅极到漏极的电荷(Qgd):8.4nC
功能详解:
- 该MOSFET具有超低的栅极电荷(Qg)和栅极到漏极的电荷(Qgd),低热阻,并且是逻辑电平控制的,符合RoHS标准,无卤素的TO-220塑料封装。
应用信息:
- 适用于DC-DC转换、次级侧同步整流和电机控制。
封装信息:
- TO-220塑料封装,每管50个。