0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
CSD18502KCS

CSD18502KCS

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    CSD18502KCS 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. B)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSD18502KCS 数据手册
CSD18502KCS
物料型号: CSD18502KCS

器件简介: - 这是一款40V N-Channel NexFET™功率MOSFET,设计用于减少功率转换应用中的损耗。

引脚分配: - 漏极(Pin 2) - 栅极(Pin 1) - 源极(Pin 3)

参数特性: - 工作温度范围:-55°C 至 175°C - 阈值电压(VGsth):1.8V - 导通电阻(RDs(on)):在VGs=4.5V时为3.3mΩ,VGs=10V时为2.4mΩ - 栅极电荷(Qg):在10V时为52nC - 栅极到漏极的电荷(Qgd):8.4nC

功能详解: - 该MOSFET具有超低的栅极电荷(Qg)和栅极到漏极的电荷(Qgd),低热阻,并且是逻辑电平控制的,符合RoHS标准,无卤素的TO-220塑料封装。

应用信息: - 适用于DC-DC转换、次级侧同步整流和电机控制。

封装信息: - TO-220塑料封装,每管50个。
CSD18502KCS 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“CSD18502KCS”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货