CSD18511KTT

数据手册：

CSD18511KTT 数据手册

CSD18511KTT

物料型号：CSD18511KTT

器件简介： - 这是一款40V、2.1-mΩ的NexFET™功率MOSFET，采用D2PAK (TO-263)封装。 - 设计用于在功率转换应用中最小化损耗。

引脚分配： - 引脚1：门极（Gate） - 引脚2/标签：漏极（Drain） - 引脚3：源极（Source）

参数特性： - 低栅极电荷(Qg)和栅漏极电荷(Qgd) - 低导通电阻(RDS(ON)) - 低热阻 - 雪崩额定 - 无铅终端镀层 - 符合RoHS和无卤素标准

功能详解： - 适用于次级侧同步整流和电机控制应用。 - 具有低Qg和Qgd，有助于减少开关损耗。 - 低RDS(ON)有助于减少导通损耗。

应用信息： - 适用于次级侧同步整流器和电机控制器。

封装信息： - 提供500件/卷的DPAK塑料封装和50件/卷的小卷装。 - 封装具有低热阻和暴露的热垫，有助于散热。

CSD18511KTT 价格&库存

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