物料型号：
- 型号：CSD18513Q5A
- 封装：SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
器件简介：
- 这是一个40-V, 2.8-mΩ, 5-mm × 6-mm SON NexFET™ power MOSFET，旨在最小化功率转换应用中的损耗。
引脚分配：
- 该型号为8引脚VSONP (DQJ) 封装。
参数特性：
- 漏源电压 (VDS)：40V
- 栅源电荷 (Qg) 总 (10V)：45nC
- 漏源导通电阻 (RDS(on))：2.8mΩ@VGS=10V
- 阈值电压 (VGS(th))：1.8V
- 栅源电压 (VGS)：±20V
- 连续漏极电流 (ID)：100A (Package Limited) / 124A (Silicon Limited)
- 雪崩能量 (EAS)：106mJ
功能详解：
- 该器件具有低RDS(ON)、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅终端镀层、符合RoHS和无卤素等特性。
- 适用于DC-DC转换次级侧同步整流、电池电机控制等应用。
应用信息：
- 适用于DC-DC转换次级侧同步整流和电池电机控制。
封装信息：
- 提供13英寸卷带包装2500颗和7英寸卷带包装250颗两种包装选项。
- 封装类型为VSONP (DQJ)，8引脚，最大高度1.1mm。
